机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2007 [5]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2007    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence study of algainp/gainp quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144 作者:  Lin, T.;  Zheng, K. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Metalorganic vapor phase epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Characterization of free-standing gan substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a tin interlayer 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Cathodoluminescence  Micro-raman scattering   Cathodoluminescence and raman research of v-shape inverted pyramid in hvpe grown gan film 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3882-3885 作者:  Wei, T. B.;  Ma, P.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  V-shape defects  Cathodoluminescence  Red emission   Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  Hemt  Mocvd  Power device  Sic substrates