机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2008 [7]

学科主题

• 光电子学 [4]
• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of responsivity decreasing with rising bias voltage in a GaN Schottky barrier photodetector 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: art. no. 105015 Zhang, S; Zhao, DG; Jiang, DS; Liu, WB; Duan, LH; Wang, YT; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/08 METAL ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  UV DETECTORS   Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403 Wang, H; Jiang, DS; Wang, LL; Sun, X; Liu, WB; Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Wang, YT; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  DISLOCATION SCATTERING  LAYER THICKNESS  INDIUM NITRIDE  BAND-GAP  VACANCIES   The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN   Photoelectric characteristics of metal/InGaN/GaN heterojunction structure 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165108 Sun, X; Liu, WB; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, S; Wang, LL; Wang, H; Zhu, JJ; Duan, LH; Wang, YT; Zhao, DG; Zhang, SM; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 FUNDAMENTAL-BAND GAP  IN1-XGAXN ALLOYS  INN   Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107 作者:  Yang H;  Lu GJ;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：66/1  |  提交时间：2010/03/08 LUMINESCENCE   Effect of Interface Roughness and Dislocation Density on Electroluminescence Intensity of InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4143-4146 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Wang, YT; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  EPITAXIAL GAN  DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  FILMS   Structural properties of ne implanted GaN 期刊论文  OAI收割 physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601 作者:  Zhu JJ;  Yang H;  Liu W;  Liu W;  Lu GJ 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2010/03/08 RAMAN-SCATTERING