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  • 半导体研究所 [5]
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  • 2009 [5]
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Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal alxga1-xas barrier layer 期刊论文  iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:  Tan, X. T.;  Zheng, H. Z.;  Liu, J.;  Zhu, H.;  Xu, P.
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Hemt  2deg  
Comparison and combination of several stress relief methods for cubic boron nitride films deposited by ion beam assisted deposition 期刊论文  iSwitch采集
Surface & coatings technology, 2009, 卷号: 203, 期号: 10-11, 页码: 1452-1456
作者:  Fan, Y. M.;  Zhang, X. W.;  You, J. B.;  Tan, H. R.;  Chen, N. F.
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Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文  OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381
作者:  Liu J;  Zhu H
收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/03/08
HEMT  2DEG  
Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107
作者:  Tan PH;  Liu J
收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08
Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001) 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: art. no. 056801
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Tan HR
收藏  |  浏览/下载：368/49  |  提交时间：2010/03/08