机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2012 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics d: applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102 Dong, Lin; Sun, Guosheng; Zheng, Liu; Liu, Xingfang; Zhang, Feng; Yan, Guoguo; Zhao, Wanshun; Wang, Lei; Li, Xiguang; Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/22 Development of vertical 32" LPCVD system for fast epitaxial growth on 4H-SiC 期刊论文  OAI收割 materials science forum, 2012, 卷号: 717-720, 页码: 105-108 Zhao, Wanshun; Sun, Guosheng; Wu, Hailei; Yan, Guoguo; Zheng, Liu; Dong, Lin; Wang, Lei; Liu, Xingfang; Yang, Lijun 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/22 Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102 Dong, L; Sun, GS; Zheng, L; Liu, XF; Zhang, F; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Li, XG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17 Characterization of 4H-SiC substrates and epilayers by Fourier transform infrared reflectance spectroscopy 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 47802 Dong, L; Sun, GS; Zheng, L; Liu, XF; Zhang, F; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Li, XG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/02/07