机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2015 [7]

学科主题

• 光电子学 [5]
• 半导体器件 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets 期刊论文  OAI收割 nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 33, 页码: 14093-14099 Yun Huang; Hui-Xiong Deng; Kai Xu; Zhen-Xing Wang; Qi-Sheng Wang; Feng-Mei Wang; Feng Wang; Xue-Ying Zhan; Shu-Shen Li; Jun-Wei Luo; Jun He 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/29 Optimization of the nanopore depth to improve the electroluminescence for GaN-based nanoporous green LEDs 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2015, 卷号: 33, 页码: 76-80 Zhi-Guo Yu; Li-Xia Zhao; Shi-Chao Zhu; Xue-Cheng Wei; Xue-Jiao Sun; Lei Liu; Jun-Xi Wang; Jin-Min Li 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/15 Sn-Guided Defect-Free GeSn Lateral Growth on Si by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, Journal of Physical Chemistry C, 2015, 2015, 卷号: 119, 119, 页码: 17842−17847, 17842−17847 作者:  Dalin Zhang;  Zhi Liu;  Dongliang Zhang;  Xu Zhang;  Junying Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/22 Ni ohmic contacts to n-type Ge1−x−ySixSny using phosphorous implant and segregation 期刊论文  OAI收割 AIP Advances, AIP Advances, 2015, 2015, 卷号: 5, 5, 期号: 12 作者:  Suyuan Wang;  Jun Zheng;  Chunlai Xue;  Chuanbo Li;  Yuhua Zuo   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/03/22 Ni(Ge1-x-ySixSny) Ohmic Contact Formation on p-type Ge0.86Si0.07Sn0.07 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 2015, 卷号: 36, 36, 期号: 9, 页码: 878-880, 878-880 作者:  Jun Zheng;  Suyuan Wang;  Xu Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/03/22 Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, Solid-State Electronics, 2015, 2015, 卷号: 114, 114, 页码: 178–181, 178–181 作者:  Xu Zhang;  Dongliang Zhang;  Jun Zheng;  Zhi Liu;  Chao He   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/03/22 Strain Evolution of Ge on Insulator Formed by Rapid Melting Growth 期刊论文  OAI收割 ecs journal of solid state science and technology, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, 2015, 卷号: 4, 4, 期号: 12, 页码: 415-418, 415-418 作者:  Zhi Liu;  Juanjuan Wen;  Jun Zheng;  Chunlai Xue;  Yuhua Zuo   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/03/22