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合肥物质科学研究院 [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2017 [8]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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发表日期:2017
内容类型:期刊论文
专题:合肥物质科学研究院
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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Analysis of anisotropic effects on energy induced by lower hybrid wave heating on EAST
期刊论文
OAI收割
PLASMA PHYSICS AND CONTROLLED FUSION, 2017, 卷号: 59, 期号: 6, 页码: 1-6
作者:
Huang, J.
;
Liang, Y.
;
Qian, J. P.
;
Xu, L. Q.
;
He, K. Y.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/25
Anisotropy
Lhw Heating
East
Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328
作者:
Jiang, S. S.
;
He, G.
;
Liang, S.
;
Zhu, L.
;
Li, W. D.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Chemistry
Xps Electrical Properties
Cmos Devices
Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420
作者:
Xiao, D. Q.
;
He, G.
;
Lv, J. G.
;
Wang, P. H.
;
Liu, M.
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Gd Incorporation
Xps
Electrical Properties
Sol-gel
Edge localized mode control using n=1 resonant magnetic perturbation in the EAST tokamak
期刊论文
OAI收割
NUCLEAR FUSION, 2017, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1-10
作者:
Sun, Y.
;
Jia, M.
;
Zang, Q.
;
Wang, L.
;
Liang, Y.
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/05/04
Resonant Magnetic Perturbation
Elm Control
Edge Stochasticity
Tokamak
Multiferroic property, dielectric response, and scaling behavior in Aurivillius Bi4.25Gd0.75Fe0.5Co0.5Ti3O15 ceramic
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2556-2562
作者:
Zuo, X. Z.
;
Zhang, M. L.
;
He, E. J.
;
Yang, J.
;
Zhu, X. B.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/07/04
Aurivillius
Multiferroic
Dielectric Relaxation
Scaling
Behavior
Interface quality modulation, band alignment modification and optimization of electrical properties of HfGdO/Ge gate stacks by nitrogen incorporation
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 695, 期号: 无, 页码: 2199-2206
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Lv, J. G.
;
Liu, M.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Gate Dielectrics
Interface Quality
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics
期刊论文
OAI收割
CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 3101-3106
作者:
Jin, P.
;
He, G.
;
Fang, Z. B.
;
Liu, M.
;
Xiao, D. Q.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/07/04
High-k Hfalox Gate Dielectrics
Sol-gel
Optical Properties
Electrical Properties
Leakage Current Transport Mechanism
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/11/21
High-k Dielectric
Interface Thermal Stability
Atomic-layer-deposition
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism