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微电子研究所 [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
专利 [1]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [7]
学科主题
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浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
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发表日期:2017
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术
期刊论文
OAI收割
电力电子技术, 2017
作者:
黄森
;
康玄武
;
王鑫华
;
刘新宇
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/15
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究
期刊论文
OAI收割
半导体技术, 2017
作者:
魏珂
;
陈诗哲
;
刘新宇
;
王泽卫
;
张宗敬
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/05/16
一种场限环结终端结构的优化设计方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410671594.9, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2015-03-11
作者:
刘新宇
;
白云
;
申华军
;
汤益丹
;
杨成樾
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/02/07
A Modified Water Glass Adhesive Bonding Method using Spot Pressing Bonding Technique
会议论文
OAI收割
作者:
Wang YH(王英辉)
;
Jin Z(金智)
;
Liu XY(刘新宇)
;
Xu Y(徐杨)
;
Wang SK(王盛凯)
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提交时间:2018/07/20
Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing
期刊论文
OAI收割
Materials Science Forum, 2017
作者:
Bai Y(白云)
;
Peng CY(彭朝阳)
;
Tang YD(汤益丹)
;
Wang YY(王弋宇)
;
Liu XY(刘新宇)
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提交时间:2018/05/16
A 6 mW 325 MS/s 8 bit SAR ADC with backgroud offset calibration
期刊论文
OAI收割
IEICE Electronics Express, 2017
作者:
Liu XY(刘新宇)
;
Wu J(武锦)
;
Huang YK(黄银坤)
;
Luan J(栾舰)
;
Wang DD(王丹丹)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/05/16
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric
期刊论文
OAI收割
Chin. Phys. Lett., 2017
作者:
Liu HG(刘洪刚)
;
Wang SK(王盛凯)
;
Ma L(马磊)
;
Chang HD(常虎东)
;
Sun B(孙兵)
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提交时间:2018/05/15