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  • 微电子研究所 [7]
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  • 2017 [7]
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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 期刊论文  OAI收割
电力电子技术, 2017
作者:  
黄森;  康玄武;  王鑫华;  刘新宇
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2018/05/15
基于Recess欧姆接触结构的AlGaN/GaN HEMT器件研究 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2017
作者:  
魏珂;  陈诗哲;  刘新宇;  王泽卫;  张宗敬
  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2018/05/16
一种场限环结终端结构的优化设计方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410671594.9, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2015-03-11
作者:  
刘新宇;  白云;  申华军;  汤益丹;  杨成樾
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2018/02/07
A Modified Water Glass Adhesive Bonding Method using Spot Pressing Bonding Technique 会议论文  OAI收割
作者:  
Wang YH(王英辉);  Jin Z(金智);  Liu XY(刘新宇);  Xu Y(徐杨);  Wang SK(王盛凯)
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2018/07/20
Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing 期刊论文  OAI收割
Materials Science Forum, 2017
作者:  
Bai Y(白云);  Peng CY(彭朝阳);  Tang YD(汤益丹);  Wang YY(王弋宇);  Liu XY(刘新宇)
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2018/05/16
A 6 mW 325 MS/s 8 bit SAR ADC with backgroud offset calibration 期刊论文  OAI收割
IEICE Electronics Express, 2017
作者:  
Liu XY(刘新宇);  Wu J(武锦);  Huang YK(黄银坤);  Luan J(栾舰);  Wang DD(王丹丹)
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2018/05/16
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs ChannelnMOSFETs with InGaP Barrier Layer and Al2O3 Dielectric 期刊论文  OAI收割
Chin. Phys. Lett., 2017
作者:  
Liu HG(刘洪刚);  Wang SK(王盛凯);  Ma L(马磊);  Chang HD(常虎东);  Sun B(孙兵)
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2018/05/15