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• 微电子研究所 [3]

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• OAI收割 [3]

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• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018 作者:  Wang WW(王文武);  Zheng YK(郑英奎);  Jiang HJ(蒋浩杰);  Wei K(魏珂);  Wang XH(王鑫华)   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2018 作者:  Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/19 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文  OAI收割 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19