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  • 半导体研究所 [3]
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  • 2020 [3]
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Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:  Di Niu;   Quan Wang;   Wei Li;   Changxi Chen;   Jiankai Xu;   Lijuan Jiang;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Qian Wang;   Xiangang Xu;   Xiaoliang Wang
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Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism 期刊论文  OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:  Fen Guo;   Quan Wang;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Chun Feng;   Xiaoliang Wang;  Zhanguo Wang
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/05/25
Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs 期刊论文  OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 3, 页码: 1071-1076
作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaoling Xu ;   Mingshan Li;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Quan Wang
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