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• 半导体研究所 [5]

采集方式

• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Depth dependence of structural quality in inn grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 516-519 作者:   收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Rutherford backscattering  Metalorganic chemical vapor deposition  Inn   Chemical composition and elastic strain in alingan quaternary films 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432 作者:  Zhou, Shengqiang;  Wu, M. F.;  Yao, S. D.;  Liu, J. P.;  Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Rutherford backscattering spectroscopy  Stress  X-ray diffraction  Quaternary compounds  Iii-v semiconductors   Interfaces in heterostructures of alingan/gan/al2o3 期刊论文  iSwitch采集 Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435 作者:  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Yao, SD;  Liu, JP;  Yang, H 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Nitride semiconductors  Interface  Rutherford backscattering/channeling  Transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Depth dependent elastic strain in zno epilayer: combined rutherford backscattering/channeling and x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2005, 卷号: 229, 期号: 2, 页码: 246-252 作者:  Feng, ZX;  Yao, SD;  Hou, L;  Jin, RQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Rutherford backscattering/channeling  Elastic strain  Tetragonal distortion  Lattice mismatich   A study of the degree of relaxation of algan epilayers on gan template 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 289-294 作者:  Zhang, JC;  Wu, MF;  Wang, JF;  Liu, JP;  Wang, YT 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 High resolution x-ray diffraction  Rutherford backscattering/channeling  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting gallium compounds