机构

• 长春光学精密机械与物... [5]
• 上海微系统与信息技术... [2]
• 西安光学精密机械研究... [2]
• 金属研究所 [1]
• 青岛生物能源与过程研... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 学位论文 [9]
• 期刊论文 [3]
• 专利 [2]

发表日期

• 2018 [2]
• 2016 [1]
• 2015 [2]
• 2014 [2]
• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 环境工程::纳米材料... [1]
• 红外基础研究 [1]
• 能源应用技术::热化... [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17 作者:  王俊;  胡海洋;  成卓;  杨泽园;  尹海鹰   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 背照射MIS结构AlGaN日盲紫外光电探测器材料生长与光电特性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  韩五月   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/09/23 光电探测器  日盲紫外  AlGaN材料  金属有机化学气相沉积  金属-绝缘层-半导体结构   硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘广政 收藏  |  浏览/下载：499/0  |  提交时间：2016/06/03 GaAs/Si  GaAs/Ge  两步法  四步法  量子点  激光器   两步生长法生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs材料及性质 期刊论文  OAI收割 发光学报, 2015, 期号: 03, 页码: 288-292 作者:  韩智明;  缪国庆;  曾玉刚;  张志伟 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/07/06 两步生长法  GaAs  InGaAs  MOCVD   一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN104409319A, 申请日期: 2015-03-11, 公开日期: 2015-03-11 作者:  南琦;  王怀兵;  王辉;  吴岳;  傅华   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2020/01/18 InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院大学, 2014 韩智明 收藏  |  浏览/下载：230/0  |  提交时间：2015/05/03 金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层   AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院大学, 2014 作者:  陈一仁 收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2014/08/21 甲醇/二甲醚制汽柴油新型催化剂的设计及催化作用机制的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013 作者:  狄佐星 收藏  |  浏览/下载：76/0  |  提交时间：2013/07/13 ZSM-5/MCM-48  选控合成  MTG  积炭  碳链增长   石墨烯晶畴尺寸的可控生长及其对材料电学性能的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2012, 期号: 4, 页码: 309-313 吴渊文; 张燕辉; 陈志蓥; 王彬; 于广辉 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/02/22 石墨烯  单晶  化学气相沉积  拉曼  电学性质   InSb基窄带半导体薄膜的分子束外延和光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  张燕辉   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 分子束外延  Insb  Inassb  Innsb  反弱局域效应