机构

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采集方式

• OAI收割 [26]

内容类型

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发表日期

• 2011 [2]
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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: ZL200810072972.6, 申请日期: 2011-03-23, 公开日期: 2013-11-27 作者:  陈朝阳 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/11/27 Mn-Co-Zn-O体系制备低阻高B型单层片式NTCR 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 355-358 作者:  贾素兰;  陈朝阳;  陶明德;  丛秀云 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/11/29 NTC热敏电阻  低阻高B  单层片式   利用氨吸附漫反射红外光谱法探测蒙脱石的固体酸性 期刊论文  OAI收割 矿物学报, 2010, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 33-39 作者:  刘冬;  袁鹏;  刘红梅;  蔡进功;  覃宗华   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/07/03 Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39 作者:  董茂进;  陈朝阳;  范艳伟;  丛秀云;  王军华 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/11/29 双重掺杂  深能级杂质  Au  Ni  热敏特性   高补偿硅的光敏感特性 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 20-22 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/29 p型单晶硅  掺杂锰  高补偿硅  光敏感特性   补偿硅的温度敏感特性 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 23-24,28 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/11/29 补偿硅  高补偿  过补偿  温敏特性   掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 23-24 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  崔志明;  蔡志军 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/11/29 掺锰  热敏特性  正温度系数  负温度系数   高补偿硅的阻-温特性 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 4 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/11/29 高补偿硅  光敏  深能级   具有模拟量、开关量和频率输出的温度传感器(F元件) 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: ZL98124283.9, 申请日期: 2003-02-12, 公开日期: 2013-11-27 宋世庚; 陶明德; 吴关炎; 丛秀云 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/11/27 风速测量用热敏电阻 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: ZL98116897.3, 申请日期: 2003-01-22, 公开日期: 2013-11-27 王疆瑛; 王云; ,陶明德 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/11/27