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• 西安光学精密机械研... [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 成形境界を制御したLLC組立における光半導体デバイス及びこれを形成するための方法 专利  OAI收割 专利号: JP2015019066A, 申请日期: 2015-01-29, 公开日期: 2015-01-29 作者:  チャン,シアンジュ;  デレオン,ジェリー;  バーロウ,アーサー,ジョン   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/30 電気的相互接続部及び光学的相互接続部を組み込む半導体ウェハ接合 专利  OAI收割 专利号: JP2014523632A, 申请日期: 2014-09-11, 公开日期: 2014-09-11 作者:  エル-ゴーロウリー,フセイン·エス;  チュアング,チー-リ;  ヤダヴァリ,カメシュワル;  ファン,クィアン   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 硬化システムおよびその方法 专利  OAI收割 专利号: JP2014509968A, 申请日期: 2014-04-24, 公开日期: 2014-04-24 作者:  リ,シュン‐ヒュン;  ヨン,ドク·キュン;  キム,ドン‐ソ;  コ,シュン·ホワン;  スン,ヒュン·ジン   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 サブ波長光導波路としてのナノワイヤ及びナノリボン並びに、これらナノ構造の光学回路及び光学素子の構成要素への利用 专利  OAI收割 专利号: JP2007538274A, 申请日期: 2007-12-27, 公开日期: 2007-12-27 作者:  ヤン,ペイドン;  ロウ,マット;  サーバリー,ドナルド,ジェイ;  ジョンソン,ジャスティン,シー;  セイカリー,リチャード   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ·ポンピング固体レーザ·システムに使用するVCSELおよび集積マイクロレンズを有するVCSELアレイ 专利  OAI收割 专利号: JP2004503118A, 申请日期: 2004-01-29, 公开日期: 2004-01-29 作者:  ザーン、カイヤン;  ザーン、ジアミン;  ゴーシュ、チュニ、エル   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法 专利  OAI收割 专利号: JP3418553B2, 申请日期: 2003-04-11, 公开日期: 2003-06-23 作者:  レオン·ゴールドスタン;  アンス·ビセシユール;  アラン·ボデール;  フランソワ·ブリユエ;  ジヤン·ルイ·ジヤントナー   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レ—ザおよび半導体レ—ザの形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000077770A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14 作者:  ヨン·チェン;  シー·ヤン·ワン   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 面発光レーザ評価方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000012969A, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-01-14 作者:  シング ビラハム パル   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス 专利  OAI收割 专利号: JP1998107389A, 申请日期: 1998-04-24, 公开日期: 1998-04-24 作者:  レオン·ゴルドスタン;  フランソワ·ブリルエ;  カトリーヌ·フオルタン;  ジヨエル·ジヤケ;  ポール·サレ   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 表面発光レーザとそのパワー出力を監視するフォトダイオードとの集積化 专利  OAI收割 专利号: JP1997135049A, 申请日期: 1997-05-20, 公开日期: 1997-05-20 作者:  ホン·リン;  ロン·ヤン;  マイケル·アール·ティー·タン;  シー-ユアン·ワン   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31