中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

条数/页： 排序方式：
オプトエレクトロニクス照明装置の製造方法およびオプトエレクトロニクス照明装置 专利  OAI收割
专利号: JP2019507376A, 申请日期: 2019-03-14, 公开日期: 2019-03-14
作者:  ウォイチック アンドレアス;  ゲブール トビアス;  ピンドル マルクス
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31
フォトニクスインターポーザのための方法及びシステム 专利  OAI收割
专利号: JP6404430B2, 申请日期: 2018-09-21, 公开日期: 2018-10-10
作者:  ピーター·ド·ドベラール
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/23
半導体発光デバイスおよびサブマウント、ならびにそれを形成するための方法 专利  OAI收割
专利号: JP2007535130A, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29
作者:  ベルント ケラー;  ジェイムズ イベットソン;  ピーター エス.アンドリュース;  ジェラルド エイチ.ネグレイ;  ノルベルト ヒラー
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30
半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998190135A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:  デイビッド ピー.バウアー;  フェルナンド エー.ポンス;  ジー.エー.ネビル コネル;  ロス ディー.ブリンガンス;  ノーブル エム.ジョンソン
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
インデックスガイド半導体ダイオードレーザを作製する方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996236859A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13
作者:  ケヴィン ジェイ.ビアニンク;  デービッド ピー.ボアー;  トーマス エル.パオリ;  ロス ディー.ブリンガンス;  グレゴリー ジェイ.コヴァクス
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/31
オプト-エレクトロニク半導体デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP2538157B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-25
作者:  ピーテル イドゥス クインデルスマ;  テウニス ファン ドンヘン;  ヘラルダス ランベルタス アントニウス ヘンリカス ファン デル ホフスタッド;  マルセリヌス ベルナルダス マリア ケンプ
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23
InAsSb発光ダイオード及びその使用方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994350134A, 申请日期: 1994-12-22, 公开日期: 1994-12-22
作者:  ウィム·ドベラエレ;  グスターフ·レジーナ·ボルス
  |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18