机构

• 微电子研究所 [6]
• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 专利 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [4]
• 2015 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种可用于高升温速率扩散焊接的实验装置 专利  OAI收割 专利号: ZL201610685316.8, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21 作者:  徐万里;  张坤;  彭青;  罗晓强;  肖京华   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/01/03 具有自对准栅结构的半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN201510888498.4, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2016-05-25 作者:  朱慧珑;  万光星   |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2019/03/26 Charge pumping test technique using CMOS ring oscillator on leakage issue 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Journal, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Liu YB(刘勇波);  Zhu ZY(朱正勇);  Zhu HL(朱慧珑);  Wan GX(万光星)   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/09 Hetero-Epitaxy and Self-Adaptive Stressor Based on Freestanding Fin for the 10 nm Node and Beyond 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics Letters, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Wang GL(王桂磊);  Wan GX(万光星)   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/07/05 Influence of Dopants Profile on Random Dopant Fluctuation and Optimization for Bulk FinFET 期刊论文  OAI收割 ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017 作者:  Wan GX(万光星);  Zhu HL(朱慧珑)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/07/09 体硅SIGe FinFET及高k层动态SILC特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院大学, 2017 作者:  万光星   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/08/23 Overshoot Stress on Ultra-Thin HfO2？High-k ？Layer and Its Impact on Lifetime Extraction 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 作者:  万光星;  朱慧珑   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/05/31