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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• 2013 [1]
• 2012 [2]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割 专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10 作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割 专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30 作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11 作者:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系半導体素子、光装置および窒化物系半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010206184A, 申请日期: 2010-09-16, 公开日期: 2010-09-16 作者:  三宅 泰人;  久納 康光;  畑 雅幸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31