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机构
西安光学精密机械研... [15]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2009 [1]
2001 [5]
1998 [3]
1994 [5]
1993 [1]
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共15条,第1-10条
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近接場光出射素子、光ヘッド、および近接場光出射素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4399328B2, 申请日期: 2009-10-30, 公开日期: 2010-01-13
作者:
上柳 喜一
;
納谷 昌之
;
都丸 雄一
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提交时间:2019/12/23
光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001325756A, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:
上柳 喜一
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ、浮上ヘッドおよびディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001326420A, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:
上柳 喜一
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2001250251A, 申请日期: 2001-09-14, 公开日期: 2001-09-14
作者:
上柳 喜一
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ、光ヘッド、光ディスク装置、および半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2001244564A, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-09-07
作者:
上柳 喜一
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提交时间:2020/01/13
光ヘッドおよび光ディスク装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001189031A, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10
作者:
上柳 喜一
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提交时间:2019/12/31
プロジェクタ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1998301201A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者:
上柳 喜一
;
友野 孝夫
;
小笠原 康裕
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提交时间:2019/12/30
マルチビーム半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2841428B2, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-12-24
作者:
瀬古 保次
;
上柳 喜一
;
中山 秀生
;
福永 秀樹
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提交时间:2020/01/13
マルチビーム半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2819593B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
作者:
瀬古 保次
;
上柳 喜一
;
中山 秀生
;
福永 秀樹
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提交时间:2019/12/23
半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994260718A, 申请日期: 1994-09-16, 公开日期: 1994-09-16
作者:
中山 秀生
;
植木 伸明
;
福永 秀樹
;
瀬古 保次
;
乙間 広己
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提交时间:2020/01/13