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• 西安光学精密机械研究... [5]

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• 2014 [3]
• 2006 [1]
• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利  OAI收割 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  上野昌纪;  梁岛克典;  田才邦彦   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物半导体激光器及外延基板 专利  OAI收割 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  住友隆道;  善积祐介;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18 作者:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体生长工艺 专利  OAI收割 专利号: CN1402306A, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2003-03-12 作者:  簗嶋克典;  中岛博   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18