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• 2007 [1]
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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 サージ保護付き半導体レーザおよび光ピックアップ 专利  OAI收割 专利号: JP4031605B2, 申请日期: 2007-10-26, 公开日期: 2008-01-09 作者:  中田 直太郎   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/23 模制型半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1325163A, 申请日期: 2001-12-05, 公开日期: 2001-12-05 作者:  中田直太郎   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 モールド型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2001291812A, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-10-19 作者:  中田 直太郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 光源ユニット 专利  OAI收割 专利号: JP2989354B2, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-12-13 作者:  中田 直太郎;  青木 直史   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/23 投受光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ 专利  OAI收割 专利号: JP1998040571A, 申请日期: 1998-02-13, 公开日期: 1998-02-13 作者:  中田 直太郎;  石田 ▲祐▼士;  青木 直史   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2669502B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-29 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  村西 正好;  宅間 裕晃   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体レ-ザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2579317B2, 申请日期: 1996-11-07, 公开日期: 1997-02-05 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  村西 正好   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996264906A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎;  虫上 雅人;  石田 ▲祐▼士;  深田 速水   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP2547465B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 レーザダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP2547466B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者:  田中 治夫;  中田 直太郎   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18