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机构
西安光学精密机械研究... [9]
采集方式
OAI收割 [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2007 [2]
2005 [1]
2000 [1]
1995 [1]
1994 [4]
学科主题
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共9条,第1-9条
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半導体レーザ素子の入出力特性検出方法とその装置
专利
OAI收割
专利号: JP4034805B2, 申请日期: 2007-11-02, 公开日期: 2008-01-16
作者:
井川 克彦
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子の検査方法とその装置
专利
OAI收割
专利号: JP2007214197A, 申请日期: 2007-08-23, 公开日期: 2007-08-23
作者:
井川 克彦
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提交时间:2019/12/31
LD素子の駆動方法及び装置
专利
OAI收割
专利号: JP2005129832A, 申请日期: 2005-05-19, 公开日期: 2005-05-19
作者:
井川 克彦
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提交时间:2019/12/31
サブマウント型レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP3023883B2, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-03-21
作者:
内田 智士
;
宅間 裕晃
;
井川 克彦
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提交时间:2019/12/23
半導体レーザの製法
专利
OAI收割
专利号: JP1995050445A, 申请日期: 1995-02-21, 公开日期: 1995-02-21
作者:
井川 克彦
;
股木 宏至
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提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1994009274B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:
尺田 幸男
;
田中 治夫
;
虫上 雅人
;
楠 薫
;
井川 克彦
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994013706A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:
内田 智士
;
井川 克彦
;
股木 宏至
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994013705A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:
内田 智士
;
井川 克彦
;
股木 宏至
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1994013707A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:
内田 智士
;
井川 克彦
;
股木 宏至
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提交时间:2020/01/18