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半導体レーザ素子の入出力特性検出方法とその装置 专利  OAI收割
专利号: JP4034805B2, 申请日期: 2007-11-02, 公开日期: 2008-01-16
作者:  
井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24
半導体レーザ素子の検査方法とその装置 专利  OAI收割
专利号: JP2007214197A, 申请日期: 2007-08-23, 公开日期: 2007-08-23
作者:  
井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/31
LD素子の駆動方法及び装置 专利  OAI收割
专利号: JP2005129832A, 申请日期: 2005-05-19, 公开日期: 2005-05-19
作者:  
井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/31
サブマウント型レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3023883B2, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-03-21
作者:  
内田 智士;  宅間 裕晃;  井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/23
半導体レーザの製法 专利  OAI收割
专利号: JP1995050445A, 申请日期: 1995-02-21, 公开日期: 1995-02-21
作者:  
井川 克彦;  股木 宏至
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レ-ザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994009274B2, 申请日期: 1994-02-02, 公开日期: 1994-02-02
作者:  
尺田 幸男;  田中 治夫;  虫上 雅人;  楠 薫;  井川 克彦
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994013706A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:  
内田 智士;  井川 克彦;  股木 宏至
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994013705A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:  
内田 智士;  井川 克彦;  股木 宏至
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994013707A, 申请日期: 1994-01-21, 公开日期: 1994-01-21
作者:  
内田 智士;  井川 克彦;  股木 宏至
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18