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• 新疆理化技术研究所 [35]
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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利  OAI收割 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰   |  收藏  |   总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249 作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰 收藏  |   Synergistic hepatotoxicity by cadmium and chlorpyrifos: Disordered hepatic lipid homeostasis 期刊论文  OAI收割 MOLECULAR MEDICINE REPORTS, 2015, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 303-308 作者:  He, Wei;  Guo, Wenli;  Qian, Yi;  Zhang, Shuping;  Ren, Difeng 收藏  |   星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究 成果  OAI收割 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖: 一等奖, 2015 主要完成人:  陆妩、任迪远、郭旗、余学峰、何承发、文林、孙静、李豫东、崔江维、吕小龙、胡江生、王嘉;  陆妩;  郭旗;  余学峰;  何承发 收藏  |   电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256 作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远 收藏  |   PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 848-853 作者:  高博;  刘刚;  王立新;  韩郑生;  余学峰 收藏  |   总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者:  郑齐文;  余学峰;  崔江维;  郭旗;  任迪远   |  收藏  |   沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 2, 页码: 347-353 作者:  崔江维;  余学峰;  任迪远;  卢健 收藏  |   典型器件和电路不同剂量率的辐射效应 期刊论文  OAI收割 信息与电子工程, 2012, 期号: 4, 页码: 484-489 作者:  陆妩;  任迪远;  郑玉展;  王义元;  郭旗 收藏  |   浓香型皇台大曲可培养细菌群落结构及其产淀粉酶的研究 期刊论文  OAI收割 食品工业科技, 2011, 期号: 8 陈林; 任迪峰; 李祖明; 赵志瑞; 白志辉 收藏  |