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西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2018 [2]
2011 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
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人眼安全光源、及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN108886233A, 申请日期: 2018-11-23, 公开日期: 2018-11-23
作者:
伊藤晋
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提交时间:2019/12/30
人眼安全光源
专利
OAI收割
专利号: CN108352676A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者:
伊藤晋
;
宫嵜启介
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提交时间:2019/12/30
窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
专利
OAI收割
专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
作者:
津田 有三
;
伊藤 茂稔
;
石田 真也
;
花岡 大介
;
神川 剛
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提交时间:2019/12/23
GaN系結晶膜の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4390090B2, 申请日期: 2009-10-16, 公开日期: 2009-12-24
作者:
伊藤 茂稔
;
近江 晋
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提交时间:2019/12/26
半导体封装体用外罩玻璃及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN100546041C, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
作者:
伊藤伸敏
;
淀川正弘
;
三和晋吉
;
桥本幸市
;
二上勉
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提交时间:2019/12/24
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2007005375A, 申请日期: 2007-01-11, 公开日期: 2007-01-11
作者:
伊藤 晋
;
山本 三郎
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提交时间:2020/01/18
GaN系レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
作者:
近江 晋
;
伊藤 茂稔
;
大野 智輝
;
川上 俊之
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2005259946A, 申请日期: 2005-09-22, 公开日期: 2005-09-22
作者:
山本 三郎
;
伊藤 晋
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提交时间:2020/01/13