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	半导体激光二极管专利 OAI收割专利号: CN110140264A, 申请日期: 2019-08-16, 公开日期: 2019-08-16 作者: 斯文·格哈德; 克里斯托夫·艾克勒; 艾尔弗雷德·莱尔; 贝恩哈德·施托耶茨 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2020/01/13
	半导体激光器专利 OAI收割专利号: CN108141010A, 申请日期: 2018-06-08, 公开日期: 2018-06-08 作者: 斯文·格哈德; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾克勒 \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2020/01/13
	用于制造半导体激光二极管的方法和半导体激光二极管专利 OAI收割专利号: CN104685734A, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03 作者: 贝恩哈德·施托耶茨; 艾尔弗雷德·莱尔; 克里斯托夫·艾克勒 \| 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2019/12/31
	半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法专利 OAI收割专利号: CN102779917B, 申请日期: 2015-04-22, 公开日期: 2015-04-22 作者: 卡尔·恩格尔; 卢茨·赫佩尔; 克里斯托夫·艾克勒; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 安德烈亚斯·魏玛 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2019/12/26
	用于制造光电子半导体构件的方法和光电子半导体激光器专利 OAI收割专利号: CN103918142A, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09 作者: 克里斯托夫·艾克勒; 森克·陶茨 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2019/12/31
	发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器专利 OAI收割专利号: CN102246527B, 申请日期: 2014-03-12, 公开日期: 2014-03-12 作者: 阿尔弗雷德·莱尔; 松克·托茨; 尤伟·斯特劳斯; 马丁鲁道夫·贝林杰; 斯蒂芬妮·布鲁宁戈夫 \| 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2019/12/26
	光电子半导体芯片专利 OAI收割专利号: CN102771023A, 申请日期: 2012-11-07, 公开日期: 2012-11-07 作者: 克里斯托夫·艾克勒; 特雷莎·莱尔默; 亚德里恩·斯特凡·阿夫拉梅斯库 \| 收藏 \| 浏览/下载：83/0 \| 提交时间：2020/01/18
	半导体激光器装置专利 OAI收割专利号: CN102460863A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16 作者: 马克・施尔格雷安斯; 阿尔弗雷德・莱尔; 迪米特里・蒂尼; 阿德里恩・斯蒂芬・阿朗姆梅斯科; 克里斯托夫・艾克勒 \| 收藏 \| 浏览/下载：6/0 \| 提交时间：2020/01/18