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OAI收割 [10]
内容类型
专利 [5]
期刊论文 [5]
发表日期
2013 [1]
2010 [1]
2007 [1]
2005 [1]
2002 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体化学 [1]
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城市土地利用的生态服务功效评价方法——以常州市为例
期刊论文
OAI收割
生态学报, 2013, 卷号: 14, 期号: 1, 页码: 4486-4494
阳文锐
;
李锋
;
王如松
;
熊侠仙
;
刘安生
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提交时间:2015/01/21
土地利用
复合生态
生态服务功效
生态评价
生态用地
Integrated optical detector in semiconductor reflector
专利
OAI收割
专利号: US7782921, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:
ALDUINO, ANDREW C.
;
PANICCIA, MARIO J.
;
COHEN, RAMI
;
BARKAI, ASSIA
;
LIU, ANSHENG
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/12/24
Two-photon absorption generated carrier lifetime reduction in semiconductor waveguide for semiconductor based raman laser and amplifier
专利
OAI收割
专利号: EP1797624A2, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2007-06-20
作者:
LIU, ANSHENG
;
PANICCIA, MARIO
;
RONG, HAISHENG
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/30
Method and apparatus for phase shifting and optical beam in an optical device with reduced contact loss
专利
OAI收割
专利号: US6870969, 申请日期: 2005-03-22, 公开日期: 2005-03-22
作者:
LIU, ANSHENG
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/26
Method and apparatus for tuning a laser with a bragg grating in a semiconductor substrate
专利
OAI收割
专利号: US20020197013A1, 申请日期: 2002-12-26, 公开日期: 2002-12-26
作者:
LIU, ANSHENG
;
PANICCIA, MARIO J.
;
NICOLAESCU, REMUS
;
JONES, RICHARD
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/30
Method and apparatus for tuning a laser with a bragg grating in a semiconductor substrate
专利
OAI收割
专利号: US20020197013A1, 申请日期: 2002-12-26, 公开日期: 2002-12-26
作者:
LIU, ANSHENG
;
PANICCIA, MARIO J.
;
NICOLAESCU, REMUS
;
JONES, RICHARD
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/30
氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察
期刊论文
OAI收割
中国有色金属学报, 1998, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 626
王敬
;
屠海令
;
刘安生
;
张椿
;
周旗钢
;
朱悟新
;
高文
;
李建明
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提交时间:2010/11/23
P~+-Ge_xSi_(1-x)/P—Si异质结红外探测器性能的提高
期刊论文
OAI收割
激光与红外, 1997, 期号: 6, 页码: 362-365
王瑞忠
;
陈培毅
;
钱佩信
;
罗广礼
;
周均铭
;
刘安生
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提交时间:2013/09/24
A Study on S.R.Topography of the Structural Defects in High-J_c Superconducting YBaCuO Crystal Prepared by the MTG Technique
期刊论文
OAI收割
Journal of Rare Earths, 1991, 期号: 2, 页码: 151-153
作者:
Wang CQ(王超群)
;
Wang RK(王瑞坤)
;
Ren HT(任洪涛)
;
Zhou YR(周贻如)
;
Xiao L(肖玲)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2015/12/25
YBa_2Cu_3O_(7-x) Superconductor
MTG technique
Structural defects
S.R.topography
Pd-Si薄膜固相反应的透射电子显微镜研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 1986, 期号: 7, 页码: 965-968+970-974
张京,刘安生,吴自勤,郭可信
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提交时间:2012/04/12
Si薄膜:5337
Pd膜:5131
透射电子显微镜:3251
固相反应:3190
外延:2777
织构:2552
退火温度:1741
衍射图:1698
图版:1556
取向关系:1360