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西安光学精密机械研究... [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
专利 [6]
发表日期
2004 [1]
2000 [2]
1999 [1]
1996 [2]
学科主题
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共6条,第1-6条
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半導体レーザ、電子交換機及び半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2004055917A, 申请日期: 2004-02-19, 公开日期: 2004-02-19
作者:
外崎 峰広
;
加藤 豪作
;
矢島 正一
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提交时间:2019/12/31
半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000208876A, 申请日期: 2000-07-28, 公开日期: 2000-07-28
作者:
加藤 豪作
;
伊藤 哲
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提交时间:2020/01/18
半導體發光元件之製造方法
专利
OAI收割
专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
作者:
加藤豪作
;
野口裕泰
;
長井政春
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提交时间:2019/12/26
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者:
野口 裕泰
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP1996111566A, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30
作者:
加藤 豪作
;
奥山 浩之
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
作者:
奥山 浩之
;
石橋 晃
;
加藤 豪作
;
吉田 浩
;
中野 一志
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提交时间:2020/01/13