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浏览/检索结果: 共52条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2011, 期号: 03 刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 吴惠桢 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 侧向腐蚀  电流限制孔径  垂直腔面发射激光器   InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06 InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利  OAI收割 专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 作者:  劳燕锋;  曹春芳;  吴惠桢;  刘成;  曹萌   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/31 AlInAs/InP异质隧道结的设计与器件应用 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2009, 期号: 05 刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 数字梯度超晶格  InP缓冲层  InxGa1-xAs  位错   亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2009, 期号: 03 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 龚谦 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/06 芯片毛细管电泳  氧化型辅酶Ⅰ  还原型辅酶Ⅰ  乳酸脱氢酶   基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 会议论文  OAI收割 第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集, 2008-12 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/18 用于III-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN101295753, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29 谢正生; 吴惠桢; 劳燕锋; 刘成; 曹萌; 黄占超 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2012/01/06 用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法 专利  OAI收割 专利号: CN101295753A, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29 作者:  谢正生;  吴惠桢;  劳燕锋;  刘成;  曹萌   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2020/01/18 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3μm垂直腔面发射激光器 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2008, 期号: S1 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 曹萌; 刘成; 谢正生 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/01/06 隐形结构  超材料  坐标变换  Maxwell方程组   离子注入方法形成电流限制孔径及其对器件光电特性的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 期号: 04 刘成; 曹春芳; 劳燕锋; 曹萌; 吴惠桢 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06 湿法腐蚀  GaAs  InGaP  柠檬酸