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半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1229877C, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2005-11-30
作者:  
杉山仁;  大桥健一;  山下敦子;  鹫塚章一;  赤池康彦
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半導体レーザダイオード及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2004014912A, 申请日期: 2004-01-15, 公开日期: 2004-01-15
作者:  
寺田 俊幸;  吉武 春二
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半导体发光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1433087A, 申请日期: 2003-07-30, 公开日期: 2003-07-30
作者:  
吉武春二;  高桥幸一;  布谷伸仁;  大桥健一
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半导体发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1395321A, 申请日期: 2003-02-05, 公开日期: 2003-02-05
作者:  
吉武春二;  关口秀树;  山下敦子;  滝本一浩;  高桥幸一
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