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光増幅素子 专利  OAI收割
专利号: JP3363511B2, 申请日期: 2002-10-25, 公开日期: 2003-01-08
作者:  
山田 敦司;  吉田谷 弘明
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3247529B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
作者:  
吉田谷 弘明
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半導体光増幅器及び光増幅装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999186654A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者:  
黒田 憲治;  吉田谷 弘明;  古川 浩
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995038198A, 申请日期: 1995-02-07, 公开日期: 1995-02-07
作者:  
菊川 知之;  川面 英司;  吉田谷 弘明
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光位相制御素子および半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010109237A, 公开日期: 2010-05-13
作者:  
吉田谷 弘明
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