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一种改进SOI结构抗辐照性能的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110418276.8, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2012-06-27
作者:  叶甜春;  吕荫学;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/10/25
抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201110418323.9, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2012-05-02
作者:  罗家俊;  吕荫学;  毕津顺;  韩郑生;  叶甜春
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/10/25
深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究 会议论文  OAI收割
作者:  卜建辉;  毕津顺;  吕荫学;  韩郑生
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/09/07
一种环形压控振荡器 专利  OAI收割
申请日期: 2011-06-21, 公开日期: 2016-04-01
作者:  罗家俊;  吕荫学
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/04/01
一种辐照加固的500M锁相环设计 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2011
作者:  吕荫学
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/11/15
二极管及其制作方法 专利  OAI收割
申请日期: 2011-01-01,
作者:  罗家俊;  吕荫学
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/08