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西安光学精密机械研... [11]
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OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
2012 [3]
2011 [1]
2008 [1]
2007 [1]
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面発光型半導体レーザおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP5087874B2, 申请日期: 2012-09-21, 公开日期: 2012-12-05
作者:
大森 誠也
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提交时间:2020/01/13
光送信モジュールの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4935257B2, 申请日期: 2012-03-02, 公开日期: 2012-05-23
作者:
逆井 一宏
;
上野 修
;
経塚 信也
;
大谷 修
;
大森 誠也
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提交时间:2019/12/23
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP4892941B2, 申请日期: 2012-01-06, 公开日期: 2012-03-07
作者:
大森 誠也
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提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム
专利
OAI收割
专利号: JP4839662B2, 申请日期: 2011-10-14, 公开日期: 2011-12-21
作者:
大森 誠也
;
坂本 朗
;
宮本 育昌
;
吉川 昌宏
;
半田 孝太郎
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提交时间:2019/12/26
半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2008034638A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14
作者:
向山 尚孝
;
大森 誠也
;
村上 朱実
;
石井 亮次
;
近藤 崇
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提交时间:2020/01/18
レーザ光源
专利
OAI收割
专利号: JP2007180563A, 申请日期: 2007-07-12, 公开日期: 2007-07-12
作者:
大森 誠也
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提交时间:2019/12/31
レーザ光源及び画像形成装置
专利
OAI收割
专利号: JP2002316440A, 申请日期: 2002-10-29, 公开日期: 2002-10-29
作者:
大森 誠也
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2002057407A, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-02-22
作者:
大森 誠也
;
成沢 秀継
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提交时间:2020/01/13
レーザー光学装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001305460A, 申请日期: 2001-10-31, 公开日期: 2001-10-31
作者:
成沢 秀継
;
大森 誠也
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提交时间:2019/12/31
面発光レーザーの光量制御方法
专利
OAI收割
专利号: JP2001267681A, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-09-28
作者:
大森 誠也
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提交时间:2019/12/31