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面発光型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP5087874B2, 申请日期: 2012-09-21, 公开日期: 2012-12-05
作者:  
大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13
光送信モジュールの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4935257B2, 申请日期: 2012-03-02, 公开日期: 2012-05-23
作者:  
逆井 一宏;  上野 修;  経塚 信也;  大谷 修;  大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/23
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4892941B2, 申请日期: 2012-01-06, 公开日期: 2012-03-07
作者:  
大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム 专利  OAI收割
专利号: JP4839662B2, 申请日期: 2011-10-14, 公开日期: 2011-12-21
作者:  
大森 誠也;  坂本 朗;  宮本 育昌;  吉川 昌宏;  半田 孝太郎
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/26
半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2008034638A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14
作者:  
向山 尚孝;  大森 誠也;  村上 朱実;  石井 亮次;  近藤 崇
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
レーザ光源 专利  OAI收割
专利号: JP2007180563A, 申请日期: 2007-07-12, 公开日期: 2007-07-12
作者:  
大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31
レーザ光源及び画像形成装置 专利  OAI收割
专利号: JP2002316440A, 申请日期: 2002-10-29, 公开日期: 2002-10-29
作者:  
大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2002057407A, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-02-22
作者:  
大森 誠也;  成沢 秀継
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
レーザー光学装置 专利  OAI收割
专利号: JP2001305460A, 申请日期: 2001-10-31, 公开日期: 2001-10-31
作者:  
成沢 秀継;  大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
面発光レーザーの光量制御方法 专利  OAI收割
专利号: JP2001267681A, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-09-28
作者:  
大森 誠也
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31