机构

• 微电子研究所 [5]
• 国家天文台 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [2]
• 2017 [2]
• 2016 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array 期刊论文  OAI收割 中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123 作者:  FAharonian;  VAlekseenko;  An Q(安琪);  Axikegu;  Bai LX(白立新)   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2021/12/06 TeVγ-ray  astronomy  observational  prospect  LHAASO-WCDA   Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type floating-gate Flash memory 期刊论文  OAI收割 Chinese physics B, 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li B(李博);  Wang HB(王海滨);  Ji LL(季兰龙)   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/04/12 Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge 期刊论文  OAI收割 CHIN. PHYS. LETT., 2018 作者:  Bi JS(毕津顺);  Xu YN(徐彦楠);  Li B(李博);  Xi K(习凯);  Wang HB(王海滨)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/04/12 Pulsed-Laser Testing for Single Event Effects in a Stand-Alone Resistive Random Access Memory 期刊论文  OAI收割 IPFA, 2017 作者:  Xi K(习凯);  Zhang F(张锋);  Li J(李金);  Ji LL(季兰龙);  Liu J(刘璟)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/07/13 Single-Event-Effects Induced by Heavy Ion and Pulsed Laser on 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang HH(张浩浩);  Bi JS(毕津顺);  Xi K(习凯);  Li J(李金);  Ji LL(季兰龙)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/07/26 Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive 期刊论文  OAI收割 Microelectronics Reliability, 2016 作者:  Hu HY(呼红阳);  Zhang HH(张浩浩);  Li J(李金);  Ji LL(季兰龙)   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/05/11