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半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3251615B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28
作者:  
平山 雄三;  小野村 正明;  森永 素安;  鈴木 信夫;  定政 哲雄
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3219823B2, 申请日期: 2001-08-10, 公开日期: 2001-10-15
作者:  
黒部 篤;  手塚 勉
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3192687B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-30
作者:  
小野村 正明;  平山 雄三;  定政 哲雄
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2020/01/13
光集積装置 专利  OAI收割
专利号: JP1994268196A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22
作者:  
定政 哲雄;  鈴木 信夫
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1993243683A, 申请日期: 1993-09-21, 公开日期: 1993-09-21
作者:  
定政 哲雄
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/13