机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2006 [4]
• 2001 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 制造激光器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1877931A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 作者:  石田真也;  小河淳;  花冈大介   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09 作者:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ光源の製造方法および窒化物半導体レーザ光源の製造装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006128629A, 申请日期: 2006-05-18, 公开日期: 2006-05-18 作者:  谷 善彦;  小河 淳;  石田 真也   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3771987B2, 申请日期: 2006-02-17, 公开日期: 2006-05-10 作者:  小河 淳;  湯浅 貴之   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 窒素化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2001156401A, 申请日期: 2001-06-08, 公开日期: 2001-06-08 作者:  荒木 正浩;  湯浅 貴之;  上田 吉裕;  小河 淳;  津田 有三   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999135882A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21 作者:  小河 淳;  湯浅 貴之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30