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半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN102163803A, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2011-08-24
作者:  
增井勇志;  荒木田孝博;  山内义则;  菊地加代子;  幸田伦太郎
  |  收藏  |  浏览/下载:144/0  |  提交时间:2020/01/18
面发光型半导体激光管及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101467314A, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 2009-06-24
作者:  
前田修;  汐先政贵;  山口典彦;  山内义则
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
半导体激光器、其制造方法和电子器件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN100385757C, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2008-04-30
作者:  
渡部义昭;  成井启修;  黑水勇一;  山内义则;  田中嘉幸
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101127434A, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2008-02-20
作者:  
增井勇志;  荒木田孝博;  山内义则;  菊地加代子;  幸田伦太郎
  |  收藏  |  浏览/下载:73/0  |  提交时间:2020/01/18
表面发光半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1964145A, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16
作者:  
渡部义昭;  成井启修;  黑水勇一;  山内义则;  田中嘉幸
  |  收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31