机构

• 西安光学精密机械研究... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 专利 [4]

发表日期

• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1998 [1]
• 1995 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1340891A, 申请日期: 2002-03-20, 公开日期: 2002-03-20 作者:  山口敦史;  仓本大;  仁道正明   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化化合物半導体レーザー素子 专利  OAI收割 专利号: JP3120744B2, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-12-25 作者:  山口 敦史   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998341060A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22 作者:  木村 明隆;  笹岡 千秋;  山口 敦史;  仁道 正明   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体量子井戸レーザー構造 专利  OAI收割 专利号: JP1995193324A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28 作者:  山口 敦史   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31