机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2009 [3]
• 2007 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 配線基板 专利  OAI收割 专利号: JP2007266369A, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11 作者:  山口 雄一朗   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子支持部材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ 专利  OAI收割 专利号: JP3500304B2, 申请日期: 2003-12-05, 公开日期: 2004-02-23 作者:  野妻 光彦;  藤岡 孝昭;  山口 雄一朗   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 埋め込み型半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2913327B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28 作者:  井上 武史;  山口 朗;  入田 丈司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24