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• 西安光学精密机械研究... [4]

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• OAI收割 [4]

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• 专利 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101316026B, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07 作者:  山下文雄;  伊藤茂稔;  山本秀一郎;  川上俊之   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1983751B, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16 作者:  川上俊之;  山崎幸生;  山本秀一郎   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007173581A, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05 作者:  山本 秀一郎;  神川 剛;  川口 佳伸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1816952A, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09 作者:  山本秀一郎;  小河淳;  石田真也;  神川刚   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/18