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西安光学精密机械研... [14]
长春应用化学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [14]
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
2016 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2005 [1]
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半导体激光光源
专利
OAI收割
专利号: CN104917047B, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2018-09-07
作者:
山本修平
;
中村聪
;
池田一贵
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提交时间:2020/01/13
面発光型半導体レーザアレイ装置、光源および光源モジュール
专利
OAI收割
专利号: JP6083194B2, 申请日期: 2017-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者:
山本 将央
;
吉川 昌宏
;
小嶋 友暁
;
湯川 浩平
;
中山 秀生
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提交时间:2019/12/26
画像形成装置、定着装置、及び乾燥装置
专利
OAI收割
专利号: JP5983327B2, 申请日期: 2016-08-12, 公开日期: 2016-08-31
作者:
上野 修
;
小嶋 友暁
;
山本 将央
;
吉川 昌宏
;
湯川 浩平
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提交时间:2019/12/23
液滴乾燥装置、印刷装置およびプログラム
专利
OAI收割
专利号: JP2014083762A, 申请日期: 2014-05-12, 公开日期: 2014-05-12
作者:
坂本 朗
;
小笠原 康裕
;
山本 将央
;
上野 修
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提交时间:2019/12/31
レーザ照明装置、照明方法、半導体素子の製造方法、投写型表示装置、ならびに投写型表示装置を用いた画像表示方法
专利
OAI收割
专利号: JP4948650B2, 申请日期: 2012-03-16, 公开日期: 2012-06-06
作者:
遠藤 貴雄
;
山本 修平
;
平野 嘉仁
;
玉川 恭久
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提交时间:2019/12/26
端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3672106B2, 申请日期: 2005-04-28, 公开日期: 2005-07-13
作者:
谷 健太郎
;
渡辺 昌規
;
山本 修
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提交时间:2019/12/26
半導体発光素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3067937B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-24
作者:
佐々木 和明
;
山本 修
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2911087B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
作者:
佐々木 和明
;
山本 修
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提交时间:2019/12/24
半導体発光素子及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10
作者:
中津 弘志
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2723649B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:
河西 秀典
;
山本 修
;
近藤 正樹
;
佐々木 和明
;
松本 晃広
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提交时间:2020/01/13