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半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010114202A, 申请日期: 2010-05-20, 公开日期: 2010-05-20
作者:  
川西 秀和;  倉本 大;  安齋 信一;  庄司 美和子;  谷口 学
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光ディスク装置のレーザー保護方法 专利  OAI收割
专利号: JP2007200513A, 申请日期: 2007-08-09, 公开日期: 2007-08-09
作者:  
田中 秀和;  西川 和彦;  海稲 睦人
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:  
板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人
  |  收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1993243666A, 申请日期: 1993-09-21, 公开日期: 1993-09-21
作者:  
新田 康一;  板谷 和彦;  岡島 正季;  波多腰 玄一;  中村 優
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/18
電界効果型光変調器および半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2001142037A, 公开日期: 2001-05-25
作者:  
川西 秀和
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/26