机构

• 新疆理化技术研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [4]
• 2011 [1]

学科主题

• Engineerin... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Total ionizing dose effects on a radiation-induced BiMOS analog-to-digital converter 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Wu, Xue;  Lu, Wu;  Wang, Yiyuan;  Xu, Jialing;  Zhang, Leqing 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/11/11 TDI-CCD辐射效应测试技术及总剂量效应研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012 作者:  张乐情   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/10 Tdi-ccd  60co-γ射线  电子辐照  辐射损伤  退火   半导体材料电子非电离能损的分析法计算 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2012, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 820-825 作者:  于新;  何承发;  郭旗;  张兴尧;  吴雪 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/05/16 非电离能损  mott散射截面  林哈德因子  分子动力学模型   应用于辐照实验的通用CCD测试电路设计 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2012, 期号: 7, 页码: 562-566 作者:  张乐情;  郭旗;  李豫东;  卢健;  张兴尧 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 电荷耦合器件  辐射效应  现场可编程门阵列  通用测试电路  电离总剂量   不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应 期刊论文  OAI收割 核技术, 2012, 期号: 8, 页码: 601-605 作者:  卢健;  余学峰;  李明;  张乐情;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/11/29 静态随机存储器  总剂量效应  不同偏置条件  辐射损伤  印记现象   12位BiCMOS模数转换器的剂量率效应 期刊论文  OAI收割 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 669-674 作者:  吴雪;  陆妩;  王义元;  胥佳灵;  张乐情 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/29 BiCMOS  模数转换器  剂量率  60Coγ辐照