机构

• 微电子研究所 [9]
• 物理研究所 [3]
• 工程热物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 专利 [6]
• 期刊论文 [6]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2014 [1]
• 2013 [2]
• 2012 [1]
• 2011 [2]
• 2008 [1]
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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 一种射频微波放大器的设计及优化方法 专利  OAI收割 专利号: CN201210236066.1, 申请日期: 2016-08-24, 公开日期: 2012-10-17 作者:  戈勤;  刘新宇;  彭铭曾;  郑英奎   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/05/27 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201110236597.6, 申请日期: 2014-12-17, 公开日期: 2013-03-06 作者:  欧阳思华;  魏珂;  刘新宇;  郑英奎;  彭铭曾   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/11/20 内匹配的高频大功率晶体管 专利  OAI收割 专利号: CN201220364213.9, 申请日期: 2013-03-13, 作者:  彭铭曾;  戈勤;  郑英奎;  刘新宇   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2016/10/12  一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法 专利  OAI收割 专利号: CN201010162263.4, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2011-11-09 作者:  刘新宇;  彭铭曾;  郑英奎;  刘果果   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/10/12 多级MMIC功率放大器测试系统 期刊论文  OAI收割 Applied Mechanics and Materials, 2012 作者:  欧阳思华;  彭铭曾;  武锦   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/11/01 用于X波段的14.2W/mm内匹配AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 期刊论文  OAI收割 Solid-State Electronics, 2011 作者:  彭铭曾   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/15 X波段AlGaN/GaN HEMT高微波功率特性研究 期刊论文  OAI收割 中国科学 物理学 力学 天文学, 2011 作者:  魏珂;  彭铭曾;  郑英奎;  陈晓娟   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/11/15 深紫外 AlGaN 材料的生长、表征及其应用研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院物理研究所, 2008 彭铭曾 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/10/10 AlN外延薄膜的生长和特征 期刊论文  OAI收割 激光与红外, 2007, 卷号: 37, 页码: 974 张洁; 彭铭曾; 朱学亮; 颜建锋; 郭丽伟; 贾海强; 陈弘; 周均铭 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 石墨泡沫新材料导热的分形模型 期刊论文  OAI收割 工程热物理学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊1, 页码: 82 ，84 张新铭; 彭鹏; 曾丹苓 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/08/22