中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [76]
西安光学精密机械研... [18]
高能物理研究所 [3]
长春光学精密机械与物... [2]
成都生物研究所 [1]
上海药物研究所 [1]
更多
采集方式
OAI收割 [100]
iSwitch采集 [6]
内容类型
期刊论文 [67]
专利 [35]
会议论文 [2]
学位论文 [1]
成果 [1]
发表日期
2021 [5]
2020 [4]
2019 [6]
2018 [9]
2017 [10]
2016 [7]
更多
学科主题
半导体物理 [40]
半导体材料 [4]
光电子学 [3]
Gastroente... [1]
Physics [1]
半导体器件 [1]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共106条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Performance and electron radiation damage of InAs/GaSb long-wave infrared detectors based on P pi MN design
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 7, 页码: 75104
作者:
Wei, Guoshuai
;
Hao, Ruiting
;
Li, Xiaoming
;
Wang, Yunpeng
;
Fang, Shuiliu
;
Guo, Jie
;
Ma, Xiaole
;
Ren, Yang
;
Li, Junbin
;
Kong, JinCheng
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Wu, Donghai
;
Niu, Zhichuan
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2022/04/28
Insights into Growth-Oriented Interfacial Modulation within Semiconductor Multilayers
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13, 期号: 23, 页码: 27262-27269
作者:
Wu, Yuyang
;
Zhang, Yi
;
Zhao, Yunhao
;
Cai, Chenyuan
;
Zhang, Yahui
;
Zhang, Yu
;
Liang, Chongyun
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
;
Shi, Yi
;
Che, Renchao
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2022/05/10
High spectral purity GaSb-based blazed grating external cavity laser with tunable single-mode operation around 1940nm
期刊论文
OAI收割
OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 21, 页码: 33864-33873
作者:
Wang, Tianfang
;
Yang, Chengao
;
Zhang, Yi
;
Chen, Yihang
;
Shang, Jinming
;
Zhang, Yu
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2022/03/23
Compensation mechanism of carriers within weakly coupled quantum wells
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2021, 卷号: 118, 期号: 12, 页码: 122107
作者:
Zhang, Yahui
;
Zhao, Yunhao
;
Cai, Chenyuan
;
Shang, Jinming
;
Wu, Yuyang
;
Zhang, Yu
;
Xu, Yingqiang
;
Liang, Chongyun
;
Niu, Zhichuan
;
Shi, Yi
;
Che, Renchao
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2022/09/29
Growth and photo-electronic characteristics of short/mid wave dual-band infrared detectors based on GaSb bulk and InAs/GaSb superlattices
期刊论文
OAI收割
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2021, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 585-591
作者:
Ma, Xiaole
;
Guo, Jie
;
Hao, Ruiting
;
Wei, Guoshuai
;
Chang, Faran
;
Li, Yong
;
Li, Xiaoming
;
Jiang, Dongwei
;
Wang, Guowei
;
Xu, Yingqiang
;
Niu, Zhichuan
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2022/11/03
TREATMENT OF A-1 ANTITRYPSIN DEFICIENCY USING HEPATIC-SPECIFIED CELLS DERIVED FROM HUMAN INDUCED PLURIPOTENT STEM CELLS
期刊论文
OAI收割
HEPATOLOGY, 2020, 卷号: 72, 页码: 26A-26A
作者:
Xu, Baoyan
;
Deng, Guohong
;
Chen, Yingqiang
;
Zhang, Lin
;
Xu, Weijie
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2020/12/21
MBE growth of high quality InAsSb thin films on GaAs substrates with GaSb as buffer layers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 542, 页码: 125688
作者:
Yong Li
;
Xiaoming Li
;
Ruiting Hao
;
Jie Guo
;
Yunpeng Wang
;
Abuduwayiti Aierken
;
Yu Zhuang
;
Faran Chang
;
Suning Cui
;
Kang Gu
;
Guoshuai Wei
;
Xiaole Ma
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Zhichuan Niu
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2021/06/28
MBE growth of high quality AlInSb/GaSb compound buffer layers on GaAs substrates
期刊论文
OAI收割
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2020, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 138
作者:
Yong Li
;
Xiaoming Li
;
Ruiting Hao
;
Jie Guo
;
Yunpeng Wang
;
Abuduwayiti Aierken
;
Yu Zhuang
;
Faran Chang
;
Kang Gu
;
Guoshuai Wei
;
Xiaole Ma
;
Guowei Wang
;
Yingqiang Xu
;
Zhichuan Niu
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2021/12/20
Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array
期刊论文
OAI收割
中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123
作者:
FAharonian
;
VAlekseenko
;
An Q(安琪)
;
Axikegu
;
Bai LX(白立新)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:67/0
  |  
提交时间:2021/12/06
TeVγ-ray
astronomy
observational
prospect
LHAASO-WCDA
片上集成半导体激光器结构及其制备方法
专利
OAI收割
专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05
作者:
杨成奥
;
牛智川
;
张宇
;
徐应强
;
谢圣文
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2019/12/30