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采集方式

• OAI收割 [22]

内容类型

• 期刊论文 [14]
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• 专利 [2]

发表日期

• 2022 [1]
• 2021 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究 期刊论文  OAI收割 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 725-733 作者:  张战刚;  雷志锋;  黄云;  恩云飞;  张毅   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2023/11/13 Estimation of Real-World Fuel Consumption Rate of Light-Duty Vehicles Based on the Records Reported by Vehicle Owners 期刊论文  OAI收割 ENERGIES, 2021, 卷号: 14, 期号: 23, 页码: 19 作者:  Zeng, Isabella Yunfei;  Tan, Shiqi;  Xiong, Jianliang;  Ding, Xuesong;  Li, Yawen   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/04/02 real-world fuel consumption rate  machine learning  big data  light-duty vehicle  China   Prospects for a multi-TeV gamma-ray sky survey with the LHAASO water Cherenkov detector array 期刊论文  OAI收割 中国物理C:英文版, 2020, 卷号: 44.0, 期号: 006, 页码: 123 作者:  FAharonian;  VAlekseenko;  An Q(安琪);  Axikegu;  Bai LX(白立新)   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2021/12/06 TeVγ-ray  astronomy  observational  prospect  LHAASO-WCDA   Quantum confinement modulation on the performance of nanometer thin body GaSb/InAs tunnel field-effect transistors 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 期号: 22, 页码: 1-5 作者:  Zhi Wang;  Liwei Wang;  Yunfei En;  Xiang-Wei Jiang 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/06/15 基于半导体激光器组件的四自由度光学测头 专利  OAI收割 专利号: CN105737765A, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2016-07-06 作者:  苗恩铭   |  收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2020/01/18 Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Liu, Jie;  IEEE   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/03/27 single event upset  static random access memory  Monte-Carlo  secondary electron  nuclear reaction   wuacanthusacanthaceaeanewchineseendemicgenussegregatedfromjusticiaacanthaceae 期刊论文  OAI收割 plantdiversity, 2016, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 312 作者:  Deng Yunfei;  Gao Chunming;  Xia Nianhe;  Peng Hua   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/11/15 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398 作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2015/06/26 绝缘体上硅  部分耗尽  电离辐射  低频噪声   Single Event Effects in COTS Ferroelectric RAM Technologies 会议论文  OAI收割 作者:  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  Yang, Zhenlei;  Wang, Xiaohui;  Wang, Bin   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/08/20 Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 卷号: 61, 页码: 1459-1467 作者:  Luo, Jie;  Yao, Huijun;  Sun, Youmei;  Xi, Kai;  Geng, Chao   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/07/05 Bragg Peak  Ion Range  Silicon-on-insulator  Single Event Upset