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浏览/检索结果: 共141条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Mechanism and Equivalence of Single Event Effects Induced by 14 MeV Neutrons in High-Speed QDR SRAM 期刊论文  OAI收割 APPLIED SCIENCES-BASEL, 2022, 卷号: 12, 期号: 19, 页码: 9685 作者:  Yang, Shaohua;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  Tong, Teng;  Li, Xiaohui   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2023/11/09 SEE  SBU  MCU  QDR-SRAM   Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   Verification of SEU resistance in 65 nm high-performance SRAM with dual DICE interleaving and EDAC mitigation strategies 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2021, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 13 作者:  He, Ze;  Zhao, Shi-Wei;  Liu, Tian-Qi;  Cai, Chang;  Yan, Xiao-Yu   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2022/01/12 Double interlocked storage cell (DICE)  Error detection and correction (EDAC) code  Heavy ion  Radiation hardening technology  Single event upset (SEU)  Static random-access memory (SRAM)   Design, Application, and Verification of the Novel SEU Tolerant Abacus-Type Layouts 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS, 2021, 卷号: 10, 期号: 23, 页码: 11 作者:  Sun, Yi;  Li, Zhi;  He, Ze;  Chi, Yaqing   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2022/04/11 D flip-flop  double interlocked storage cell  single event upset   Design and verification of multiple SEU mitigated circuits on SRAM-based FPGA system 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 7 作者:  Yu, Jian;  Cai, Chang;  Ning, Bingxu;  Gao, Shuai;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2022/01/24 Heavy ions  Irradiation  Hardened  Single event upset   Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Zhang, Q.;  Xi, K.;  Li, B.;  Wang, C.   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2022/01/24 SEE  SEU  SOI SRAM  C   Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11 作者:  Wang, Shu;  Cai, Chang;  Ning, Bingxu;  He, Ze;  Huang, Zhiqin   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/12/08 SerDes  SRAM-based FPGA  Single Event Upset  Single Event Functional Interrupt   SRAM型FPGA的SEU容错技术研究 学位论文  OAI收割 中国科学院光电技术研究所: University of Chinese Academy of Sciences, 2021 作者:  钟敏   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2021/06/28 Sram型fpga，bram，cram，seu，mbu   Impact of heavy ion energy and species on single-event upset in commercial floating gate cells 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 120, 页码: 6 作者:  Ye, Bing;  Mo, Li-Hua;  Zhai, Peng-Fei;  Cai, Li;  Liu, Tao   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/12/09 Flash memories  Linear energy transfer  Single-event upset  Heavy ions  Geant4   Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM* 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 8 作者:  Mo, Li-Hua;  Ye, Bing;  Liu, Jie;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/12/10 neutron  three-dimension ICs  single event upset  multi-bit upset  Geant4