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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3432968B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-08-04
作者:  
手塚 勉
  |  收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3219823B2, 申请日期: 2001-08-10, 公开日期: 2001-10-15
作者:  
黒部 篤;  手塚 勉;  定政 哲雄;  櫛部 光弘
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2941463B2, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-08-25
作者:  
手塚 勉;  黒部 篤;  川久 慶人
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
光半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994097566A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
作者:  
阪口 眞弓;  古山 英人;  高岡 圭児;  櫛部 光弘;  手塚 勉
  |  收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体レーザアレイ 专利  OAI收割
专利号: JP1994097578A, 申请日期: 1994-04-08, 公开日期: 1994-04-08
作者:  
手塚 勉;  高橋 茂樹
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13