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机构
西安光学精密机械研究... [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
1999 [2]
1998 [1]
1996 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1999177185A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02
作者:
小池 正好
;
手銭 雄太
;
永井 誠二
;
湧口 光雄
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提交时间:2020/01/13
3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999145566A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者:
小池 正好
;
山崎 史郎
;
手銭 雄太
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998012962A, 申请日期: 1998-01-16, 公开日期: 1998-01-16
作者:
手銭 雄太
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製法
专利
OAI收割
专利号: JP1996186323A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16
作者:
虫上 雅人
;
手銭 雄太
;
村山 実
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザおよびその製法
专利
OAI收割
专利号: JP1996186324A, 申请日期: 1996-07-16, 公开日期: 1996-07-16
作者:
虫上 雅人
;
手銭 雄太
;
村山 実
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提交时间:2020/01/18