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Constraints on charm-anticharm asymmetry in the nucleon from lattice QCD 期刊论文  OAI收割
PHYSICS LETTERS B, 2020, 卷号: 808, 页码: 135633
作者:  Sufian, Raza Sabbir;  Liu, Tianbo;  Alexandru, Andrei;  Brodsky, Stanley J.;  de Teramond, Guy F.
  |  收藏  |  浏览/下载：139/0  |  提交时间：2020/11/26
投影型显示装置 专利  OAI收割
专利号: CN104937487B, 申请日期: 2017-04-19, 公开日期: 2017-04-19
作者:  山田旭洋;  泽中智彦;  柳生伸二;  木田博;  鲛岛研治
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
レーザ光源装置及びプロジェクタ 专利  OAI收割
专利号: JP2015132665A, 申请日期: 2015-07-23, 公开日期: 2015-07-23
作者:  柳生 伸二;  木田 博;  山田 旭洋
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
光源装置和投影式显示装置 专利  OAI收割
专利号: CN103207509B, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者:  山田旭洋;  宇多小路雄;  鲛岛研治;  木田博;  泽中智彦
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101867156B, 申请日期: 2013-12-11, 公开日期: 2013-12-11
作者:  城岸直辉;  荒木田孝博
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/26
垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101800398B, 申请日期: 2013-04-10, 公开日期: 2013-04-10
作者:  增井勇志;  荒木田孝博;  成瀬晃和;  幸田伦太郎;  城岸直辉
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体发光装置 专利  OAI收割
专利号: CN101794966B, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
作者:  城岸直辉;  增井勇志;  幸田伦太郎;  荒木田孝博
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23
半导体激光器及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101834408B, 申请日期: 2012-11-14, 公开日期: 2012-11-14
作者:  前田修;  增井勇志;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体发光装置 专利  OAI收割
专利号: CN102214896A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
作者:  前田修;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博;  内田史朗
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
激光二极管 专利  OAI收割
专利号: CN102214897A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12
作者:  增井勇志;  荒木田孝博;  菊地加代子;  成瀬晃和;  近藤幸一
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