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Study of the Mechanisms and characteristics of Large-AreaHigh-Current-Density 4H-SiC Trench Junction Barrier Schottky Diodes 会议论文  OAI收割
作者:  Li CZ(李诚瞻);  Tang YD(汤益丹);  Dong SX(董升旭);  Bai Y(白云);  Yang CY(杨成樾)
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一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/07
High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System 期刊论文  OAI收割
J. Appl. Phys., 2018
作者:  KeAn Liu;  Peng CY(彭朝阳);  Wang SK(王盛凯);  Bai Y(白云);  Tang YD(汤益丹)
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/04/19
1200V/100A 高温大电流 4H-SiC 器件的研制 期刊论文  OAI收割
半导体技术, 2018
作者:  李诚瞻;  史晶晶;  白云;  董升旭;  汤益丹
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/19
碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛
  |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/03/07
一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  汤益丹;  白云;  李诚瞻;  刘新宇;  刘国友
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/03/07
SiC电力电子器件关键技术及应用 成果  OAI收割
2018
主要完成人:  汤益丹;  刘可安;  李诚瞻;  冯淦;  刘新宇
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Multi-dimensional models of sic power mosfet for accurately predicting the characteristics 期刊论文  OAI收割
CES TRANSACTIONS ON ELECTRICAL MACHINES AND SYSTEMS, 2017
作者:  Diao S(刁绅);  Li CZ(李诚瞻);  Yang CY(杨成樾);  Liu XY(刘新宇);  Bai Y(白云)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/05/16
Design and Simulation of 4H-SiC MESFET Ultraviolet Photodetector with Gain 期刊论文  OAI收割
Materials Science Forum, 2017
作者:  Liu XY(刘新宇);  Yang CY(杨成樾);  Shen HJ(申华军);  Li CZ(李诚瞻);  Bai Y(白云)
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/05/16
Re-Investigation of SiC/SiO2 Interface Passivation by Nitrogen Annealing 期刊论文  OAI收割
Materials Science Forum, 2017
作者:  Bai Y(白云);  Peng CY(彭朝阳)
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