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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High spectral purity GaSb-based blazed grating external cavity laser with tunable single-mode operation around 1940nm 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2021, 卷号: 29, 期号: 21, 页码: 33864-33873 作者:  Wang, Tianfang;   Yang, Chengao;   Zhang, Yi;   Chen, Yihang;   Shang, Jinming;   Zhang, Yu;   Xu, Yingqiang;   Niu, Zhichuan   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2022/03/23 高性能锑化物单模量子阱激光器的研究 学位论文  OAI收割 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  杨成奥   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/08/31 片上集成半导体激光器结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05 作者:  杨成奥;  牛智川;  张宇;  徐应强;  谢圣文   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/12/30 基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN109217109A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2020/01/18 渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN109149368A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04 作者:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11 作者:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 提高激光器寿命和发光效率的方法 专利  OAI收割 专利号: CN108039645A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15 作者:  谢圣文;  杨成奥;  张宇;  牛智川   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN106953235A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14 作者:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2020/01/18 2μm单模锑化物量子阱LC-DFB激光器制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 杨成奥 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/02 一种半导体激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN105161976A, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16 作者:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  魏思航;  徐应强   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/13