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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3508423B2, 申请日期: 2004-01-09, 公开日期: 2004-03-22
作者:  東條 剛;  平田 照二
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半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW535337B, 申请日期: 2003-06-01, 公开日期: 2003-06-01
作者:  內田史朗;  東條剛
  |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
作者:  東條 剛;  浅野 竹春
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997167879A, 申请日期: 1997-06-24, 公开日期: 1997-06-24
作者:  東條 剛;  小沢 正文;  池田 昌夫
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半導體發光裝置及其製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW200614611A, 公开日期: 2006-05-01
作者:  內田史朗;  東條剛
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26